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linuxflash是什么

发布时间:2023-09-08 12:06:28

❶ 给linux安装Flash(tar.gz)的时候,解压出来的是个libflashplayer.so和usr文件夹,这怎么弄

linux系统安装flash插件的复方法

1、下制载for linux flash,
2、解压tar.zip,得到一个libflashplayer.so文件和usr目录。
3、如果你的linux浏览器为firefox,只需要把libflashplayer.so文件复制到/usr/lib/mozilla/plugins目录下即可;usr目录没啥用。
www.2cto.com
这时候重启firefox,就可以在线看视频了。

❷ linux系统下火狐浏览器安装flash插件失败这是什么问题啊急啊!!!


如果因为flash版本过低,或者其它flash的问题,导致网页加载不正常,网页视频不能看等情况的话
你可以使用电脑管家的电脑诊所来一键修复一下



注:腾讯电脑管家为Flash版本过低问题定制部分修复步骤,因为操作过于繁杂,故未全部列出。若问题仍未解决,建议点击本回答上侧的【立即修复】按钮,进行深度修复。


本回答如有不清楚或其他疑问,请继续追问
如果以后还有什么问题,欢迎您再来电脑管家企业平台咨询

❸ 嵌入式linux 如何烧写flash

有flash烧写器的啊来
1)在电脑上装好相自应的驱动和烧写软件,
2)把flash芯片按正确的方向放在烧写器的卡座上
3)通过烧写软件控制flash芯片的擦除和烧写,对Nand flash,烧写时默认会跳过坏块。

如果你说的是固件升级,那么通过nand write 和nand read命令去操作,nand read是将写入flash的数据读出来与写之前的文件进行二进制比较,以确认烧写是成功的。
注意:要用write.e和read.e,这样才能跳过坏块。

❹ 如何在linux chrome最新版上安装flash插件

Linux chrome浏览器是自抄带Flash插件的袭,chrome内置的Flash插件显示为shockwave Flash,在chrome浏览器的设置选项中可以看到内置的Flash插件的版本,并且可以停用或启用内置的Flash插件。

❺ 嵌入式Linux 中,nand flash 和 nor flash ,那个用的多

Nand flash
NAND flash和NOR flash原理
一、存储数据的原理
两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极、漏极和栅极,与场效应管的工作原理 相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的 电流消耗极小,不同 的是场效应管为单栅极结构,而 FLASH 为双栅极结构,在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]
浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的,中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃,以避免发生击穿。
二、浮栅的重放电
向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程,写入数据有两种技术,热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling),前一种是通过源 极给浮栅充电,后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电,而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。
在写入新数据之前,必须先将原来的数据擦除,这点跟硬盘不同,也就是将浮栅的电荷放掉, 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。
三、0 和 1
这方面两种 FLASH 一样,向浮栅中注入电荷表示写入了'0',没有注入电荷表示'1',所以对 FLASH 清除数据是写 1 的,这与硬盘正好相反;
对于浮栅中有电荷的单元来说,由于浮栅的感应作用,在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区,这时无论控制极上有没有施加偏置电压,晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压,在硅基层上感应出电 荷,源极和漏极才能导通,也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时,晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线,在无偏置电压的情况下,检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据,如果位线上的电平为低,说明晶体管处于 导通状态,读取的数 据为 0,如果位线上为高电平,则说明晶体管处于截止状态,读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压,不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量,所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。
四、连接和编址方式
两种 FLASH 具有相同的存储单元,工作原理也一样,为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作,而是对一定数量的存取单元进行集体操作, NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的,而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的;为了对全部的存储单元有 效管理,必须对存储单元进行统一编址。
NAND 的全部存储单元分为若干个块,每个块又分为若干个页,每个页是 512byte,就是 512 个 8 位数,就是说每个页有 512 条位线,每条位线下 有 8 个存储单元;那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同,这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的,那么块就类似硬盘的簇;容 量不同,块的数量不同,组成块的页的数量也不同。 在读取数据时,当字线和位线锁定某个晶体管时,该晶体管的控制极不加偏置电压,其它的 7 个都加上偏置电压 而导通,如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平, 读出的数就是 0,反之就是 1。
NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线,方便对每一位进行随机存取;具有专用的 地址线,可以实现一次性的直接寻址;缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能

NAND flash和NOR flash的区别
一、NAND flash和NOR flash的性能比较
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
二、NAND flash和NOR flash的接口差别
NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
六、位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用
七、EDC/ECC算法
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
八、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
九、易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
十、软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

❻ 构建一个嵌入式ARM Linux系统时,你是如何进行FLASH存储器分区规划的,并说明各个部分的作用.

flash中一般需要装下
启动抄区(bootstrap,uboot),内核区(kernel),文件系统(filesystem)
具体安装大小,要看各个部分的软件被你编译成了多少。
在你编译后的size的基础上,再适当增加一点,作为个分区的容量。
给你一个atmel的官方arm linux的分区示意图。
http://www.at91.com/linux4sam/bin/view/Linux4SAM/GettingStarted
上面只是对初学者的简要说明。每一部分都是可变的,关键看你自己的制作环境是什么。
想了解更详细的,你需要了解了每一部分的启动原理,存储位置等,才能充分明白。
或者把上面的网站里,左侧菜单的所有内容熟悉一遍,也会加深理解的。

❼ linux 内核支持 spi flash 和 nand flash同时使用吗

在<linux/spi/spi.h>头文件中包含有内核文档,做为主要的源码,你应该详读内核API文档的相关章节.本文只是概览,在了解细节前有个大致的图景是好的.
SPI请求会进入到I/O队列中.请求给定的SPI设备也是按照FIFO顺序进行的,通过完成机制异步通知.也同简单的同步措施:先写在读出来.
有俩类SPI驱动:
控制器驱动(Controller drivers)...集成在SOC中的控制器,经常扮演Master和Slave双角色.这类驱动直接接触到硬件层的寄存器甚至使用DMA.亦或者扮演bitbanger,仅需要GPIO脚;
协议驱动(Protocoldrivers)...在控制器和slave或者控制器和另外一条SPI链路上的Master传递消息.协议驱动是将控制器读到的数据,比如是一堆0,1代码,解析成有意义的协议数据;
对于协议驱动应该是我们要写的,spi在linux内核中有spi子系统分为spi核心层,就类似USBcore一样是主控制器部分,另一个就是spi设备层了.前者内核帮咱写好了,为了让你的spi设备能工作,就得借助spicontroller driver导出的一些设施来编写protocoldrivers了.
struct spi_device结构封装了俩类驱动间的master-side接口.
有一个最小化SPI编程接口的core,专注于使用板级初始化代码提供的设备表并借助于驱动模型来连接controller和protocol驱动.在sysfs文件系统中,SPI视图:

1 /sys/devices/.../CTLR ... physical node for a given SPI controller
2
3 /sys/devices/.../CTLR/spiB.C ... spi_device on bus "B",
4 chipselect C, accessed through CTLR.
5
6 /sys/bus/spi/devices/spiB.C ... symlink to that physical
7 .../CTLR/spiB.C device
8
9 /sys/devices/.../CTLR/spiB.C/modalias ... identifies the driver
10 that should be used with this device (for hotplug/coldplug)
11
12 /sys/bus/spi/drivers/D ... driver for one or more spi*.* devices
13
14 /sys/class/spi_master/spiB ... symlink (or actual device node) to
15 a logical node which could hold class related state for the
16 controller managing bus "B". All spiB.* devices share one
17 physical SPI bus segment, with SCLK, MOSI, and MISO.

需要注意的是控制器类状态的实际位置取决于您是否开启CONFIG_SYSFS_DEPRECATED标志.此时,唯一的特定类状态是总线编号("B" in "spiB"),所以/sys/class下的那些入口项是唯一的识别总线的标志.

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