江西硅可编程晶振参数有哪些

Ⅰ 晶振有哪些重要参数

一颗晶振的参数要掌握：
首先要掌握晶振的类比是有源晶振还是无源晶振，然后再看参数:
一，晶振的封装，即晶振的规格尺寸，比如49s
smd3225
二，晶振的频率mhz
三，负载电容（pf)
四，温度频差(ppm)

Ⅱ 看看晶振各种参数的具体选择标准有哪些

EPSON晶振中国区一级代理商-扬兴科技：

晶体振荡器的选择有封装、频率、电源电压、频率稳定度、输出、工作温度范围、相位噪声抖动、牵引范围等几大参数需要考虑，综合参数才能选择更合适的晶振。扬兴晶振先来看看各种参数的具体选择标准：

1、石英晶体振荡器的封装目前常用的有：插件晶振(49S)(MC-146)、贴片晶振(49SSMD)(SMD3225、4025、5032、6035、7050)等。晶振与其他电子元件类似，现在流行用越来越小的封装。

2、频率的选择一般要看产品的具体需要。一般的晶振是频率越高，频差越大价格也就越高。但并不是频差大的就更好，要看是否符合电路板的需求。

3、晶体振荡器常用的电源电压有：1.8V、2.5V、3.3V、5V。

4、 频率稳定度，指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差(百万分之一)，用ppm表示。温度范围越宽，稳定度越高，价格越高。频率稳定度要求在±20ppm以上的应用，可使用普通的无补偿晶体振荡器。低于±1ppm的稳定度，应该考虑恒温晶体振荡器(OCXO)，而对于频率稳定度在±1至±20ppm，则可以考虑使用温度补偿晶体振荡器(TCXO)。

5、输出有多种不同的类型，每种输出类型有独特波形特性和用途。在选择输出类型时，应考虑三态或互补输出的要求。对称性、上升和下降时间以及逻辑电平对某些应用来说也要作出规定。常见的输出类型有(TTL、SINE、PECL、LVPECL、LVDS、HCMOS).

6、晶振标准温度为-40℃～+85℃，一般来说-20℃～+70℃已经够用了。某些特殊场合对温度范围比较高，比如航天军用的。

7、具有基波和谐波方式的晶体振荡器具有最好的相位噪声性能。相位噪声和抖动是指在同一现象下两种不同的定量方式，对短期稳定度的真实度量。拥有好的相位噪声和抖动的同时晶体振荡器的设计复杂，体积大、频率低、造价高。相反，采用锁相环合成器产生输出频率的振荡器比采用非锁相环技术的振荡器一般呈现较差的相位噪声性能。实际上，相位噪声和抖动是短期频率稳定度的度量，所以一般较好的、频率稳定度越好的晶振，相应指标也更好。

8、老化率是指晶振在使用的过程中，频率值随着变化的大小，有年老化和日老化两种指标。

Ⅲ 晶振 参数

晶体谐振器常用的参数
CI或RR代表等效阻抗
C0 ：静电容
C1：动态电容
DLD：激励功率特性，不代表任何值
DLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值和最小值的差
FDLD：一系列的功率下频率的最大值和最小值的差
RLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值

Ⅳ 晶振成本的六个重要参数有哪些

1，晶振的频率范围。低频与高频，成本相对较贵。前提是要依附于使用的晶振封装，比如同样是8MHZ晶振，封装3225与封装5032的成本反差较大。原理很简单，8MHZ本身属于低频范围，遇上封装较小的3225晶振，在晶片磨损与制作时产生的不良率过大，从而需要反复检测以保证产品的性能和产品百分百的工作率。因此成本较贵！
2，晶振的脚位。意想不到晶振成本也取决于晶振脚位吧，那么什么样脚位的晶振成本较贵了！晶振脚位有两脚和四脚之分，2脚无源晶振成本较贵，例如KDS晶振中的DSX320G系列！
3，晶振的温度。毋庸置疑，晶振工作温度的范围影响着晶振成本的因素。简化而言，晶振工作温度不同，其使用级别也不同，例如-20—75摄氏度，甚至可耐温度范围更小的，都属于民用晶振，也称之为消费类晶振；温度-40—85的工作温度，属于工业级；-40—125摄氏度属于汽车及；-50—150摄氏度属于军工级。不同等级的工作温度，晶振成本也有不同的变化。瑞泰建议，在咨询晶振的同时，如果告知使用产品范围，供应厂商会更加明确晶振的参数要求。
4，晶振的精度。精度往往由PPM表示，另外一种通俗易懂的说辞称之为频率误差，不同精度的晶振，产生的频率误差越小，当然如果想要晶振频率越准确，那频率误差越小越好。所以不难理解晶振的精度为什么是影响晶振成本变化的原因之一。
5，负载电容。晶振频率晶振封装一致，负载电容不同也将影响晶振的成本变化。
6，晶振封装。在我们认知中，晶振封装越小越贵，这是一点，然而晶振封装越大，成本也越高。因为小型化的贴片晶振磨损晶片较多，大型化的贴片晶振晶片使用较多。望采纳，我们是凯越翔电子，有问题欢迎咨询。

Ⅳ 晶振怎么分类晶振的参数有哪些晶振的参数晶振的分类

1.晶振有着不同使用要求及特点，分类为普通晶振，温补晶振，压控晶振，温控晶振四类。
2.按晶振的功能和实现技术的不同，可分四类:(1)恒温晶体振荡器OCXO
(2)温度补偿晶体振荡器TCXO
(3)普通晶体振荡器SPXO(4)压控晶体振荡器VCXO
晶振参数太多了无法一一列出来，有源晶振即钟振，常规向客人了解封装/频点/电压就基本OK，无源晶振即谐振器，一般向客人了解封装/频点/调整频差PPM/负载电容PF就基本OK啦，如客人有特别要求一个基频与泛音模式，还有一个常温与宽温即温度的要求。
常用SMD封装尺寸有7050，5032，3225，2520，2016，8045，4025，6035。DIP直插圆柱型有:AT-2*6，AT-3*8。钟振DIP8
DIP14
，再就是49S系列。

Ⅵ 谁帮我看看晶振手册参数是多少

晶振频率就是标称32.768kHz。

负载电容大体可以按下面的计算，其中C1、C2取值要使得最终CL满足晶振手册中的12.5pF。例如C1、C2可取18pF~22pF左右。

Ⅶ 吊知道什么晶振可编程么

其实可编程晶振还有个很好听的名字叫做：硅晶体，可编程晶振简单的解释就是，把你需要的晶振频率，精度，电压，负载等要求提供过来，在通过简单的电脑编辑器，把你需要的这些参数在电脑控制器上，输入你所提供的参数，然后按下确定键就可以把频率，电压等参数写入到空白的晶振片上。如果还是不明白你就想一下，IC是怎么编程的，原理跟IC编程一个道理，只不过IC编程有分为电脑编辑以及手工模拟编辑，手工模拟编辑就是把一颗工片放在主机上，母片放入编辑机的附件，按下确定就可以把公片上的IC系列参数复制进入母片，不过目前可编辑的石英晶振现在还没做到这种地步。
现在市面上对硅晶体技术以及产量做的最优越的还得说Easy-Key所代理的美国的SiTime公司，对于美国SiTime晶振品牌来说在欧美市场非常受欢迎，并且很多大型科技企业得到了广泛应用，很遗憾的事，可编程硅晶体目前只针对有源石英晶体振荡器系列，并不对普通压电石英晶振可采取数据编辑。

Ⅷ 晶振 参数

DL是激励电平，100uW （你看看是uM 还是uW?）
CL是负载电容，10PF
CO是静态电容，7pf
RR是串联等效电阻，70欧姆
CAL.TOL是常温频差，±10 ppm
TEM.TOL是温度频差，在-10 ℃ to 60 ℃范围内，频差为±10 ppm
IR是静态电阻， 500MΩ

一般就看看负载电容CL，常温频差, 串联等效电阻，
频差单位1个PPM等于一万分之一频率数。

Ⅸ 4MHZ的晶振主要参数有哪些

不管晶振频率是多少，其参数基本都是固定的，详见下文：
1.、频率大小：
频率越高一般价格越高。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。总之频率的选择是根据需要选择，并不是频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振（OCXO），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。至于范围，晶振的频率做的太高的话，就会失去意义，因为有其他更好的频率产品代替。JFVNY的产品频率范围是：25kHz-1.3G，基本上所有应用中的晶振都可以在JFVNY产品种找到。

2.、频率稳定度：关键参数，JFVNY的高端晶振可以达到10-9级别。
指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm（百万分之一）表示。一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。对于频率稳定度要求±20ppm或以上的应用，可使用普通无补偿的晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO。如果客户有十分特别的频稳要求，JFVNY可根据客户要求参数定做。

3、电源电压：
常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等，其中3.3V应用最广。

4、输出：

根据需要采用不同输出。（HCMOS，SINE，TTL，PECL，LVPECL，LVDS，LVHCMOS等）每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。应该关注三态或互补输出的要求。对称性、上升和下降时间以及逻辑电平对某些应用来说也要作出规定，根据客户需要我们可以帮助客户选型。

5.、工作温度范围：
工业级标准规定的-40～+85℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-20℃～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。对于某些特殊场合如航天军用等，对温度有更苛刻的要求。

6.、相位噪声和抖动：
相位噪声和抖动是对同一种现象的两种不同的定量方式，是对短期稳定度的真实度量。振荡器以及其它利用基波或谐波方式的晶体振荡器具有最好的相位噪声性能。采用锁相环合成器产生输出频率的振荡器比采用非锁相环技术的振荡器一般呈现较差的相位噪声性能。但相对的，拥有好的相位噪声和抖动的同时振荡器的设计复杂，体积大，频率低，造价高。实际上相位噪声和抖动是短期频率稳定度的度量，所以一般越高端的晶振，即频稳越好的晶振，这些指标也相应越好。

7.、牵引范围（VCXO）：是针对VCXO的参数。
带有压控功能的晶振为（VCXO），即通过调节控制电压改变输出频率。牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值。此值一般用ppm表示。通常牵引范围大约为100 - 200ppm，取决于VCXO的结构和所选择的晶体。

8.、封装：
与其它电子元件相似，石英振荡器亦采用愈来愈小型的封装。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。JFVNY振荡器有插件(DIP)、贴片(SMD)封装，插件如长方形的DIP14封装，正方形的DIP8封装等，贴片有7.0*5.0、6.0*3.5mm，5.0*3.2mm，3.2*2.5mm，2.5*2.0mm等封装。

9.老化率：
随着时间的推移，频率值随着变化的大小，有年老化和日老化两种指标。JFVNY的高精度恒温晶振（OCXO）可以达到10-8 ppm/年。

以上是选型时工程师应考虑的晶振参数，前5个参数一般就能选出相对应的型号。其中最重要的指标是频率稳定度。所谓高端，就是频率稳定度非常好的晶振。随着技术的发展，对高端晶振的需求会日益增加。JFVNY的恒温晶振（OCXO）频率稳定性可以达到10-9级别。另外对于中高端晶振，有时客户对某些指标有特殊要求，比如更好的相位噪声，或更小的封装要求，