⑴ DRAM,SDRAM和SRAM的區別
三者在數據存儲、體積、特點不同:
1、數據存儲不同:
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失。
SDRAM有一個同步介面,在響應控制輸入前會等待一個時鍾信號,這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鍾被用來驅動一個有限狀態機,對進入的指令進行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步介面的非同步DRAM(asynchronous DRAM)相比,可以有一個更復雜的操作模式。
2、體積不同:
相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。
SDRAM的體積結構已經很優化了。
3、特點不同:
SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,通常DRAM是有一個非同步介面的,這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取內存(synchronous dynamic random-access memory,簡稱SDRAM)是有一個同步介面的動態隨機存取內存(DRAM)。
由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對於DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」存儲器。
⑵ 為什麼選擇矽片做做晶元它的信息存儲原理是什麼
晶元是一種集成電路,由大量的晶體管構成。不同的晶元有不同的集成規模,大到幾億;小到幾十、幾百個晶體管。晶體管有兩種狀態,開和關,用 1、0 來表示。
多個晶體管產生的多個1與0的信號,這些信號被設定成特定的功能(即指令和數據),來表示或處理字母、數字、顏色和圖形等。晶元加電以後,首先產生一個啟動指令,來啟動晶元,以後就不斷接受新指令和數。
單晶硅可以用於二極體級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工製造,其後續產品集成電路和半導體分離器件已廣泛應用於各個領域,在軍事電子設備中也佔有重要地位。
(2)矽片為什麼能存數據擴展閱讀:
單晶硅具有準金屬的物理性質,有較弱的導電性,其電導率隨溫度的升高而增加,有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。
在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA 族元素,如硼可提高其導電的程度,而形成p型硅半導體;如摻入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高導電程度,形成n型硅半導體。
當硅熔體的溫度穩定之後,將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力,會使籽晶產生位錯,這些位錯必須利用縮頸生長使之消失掉。
縮頸生長是將籽晶快速向上提升,使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小(4-6mm)由於位錯線與生長軸成一個交角,只要縮頸夠長,位錯便能長出晶體表面,產生零位錯的晶體。