江西硅可編程晶振參數有哪些

Ⅰ 晶振有哪些重要參數

一顆晶振的參數要掌握：
首先要掌握晶振的類比是有源晶振還是無源晶振，然後再看參數:
一，晶振的封裝，即晶振的規格尺寸，比如49s
smd3225
二，晶振的頻率mhz
三，負載電容（pf)
四，溫度頻差(ppm)

Ⅱ 看看晶振各種參數的具體選擇標准有哪些

EPSON晶振中國區一級代理商-揚興科技：

晶體振盪器的選擇有封裝、頻率、電源電壓、頻率穩定度、輸出、工作溫度范圍、相位雜訊抖動、牽引范圍等幾大參數需要考慮，綜合參數才能選擇更合適的晶振。揚興晶振先來看看各種參數的具體選擇標准：

1、石英晶體振盪器的封裝目前常用的有：插件晶振(49S)(MC-146)、貼片晶振(49SSMD)(SMD3225、4025、5032、6035、7050)等。晶振與其他電子元件類似，現在流行用越來越小的封裝。

2、頻率的選擇一般要看產品的具體需要。一般的晶振是頻率越高，頻差越大價格也就越高。但並不是頻差大的就更好，要看是否符合電路板的需求。

3、晶體振盪器常用的電源電壓有：1.8V、2.5V、3.3V、5V。

4、 頻率穩定度，指在規定的工作溫度范圍內，與標稱頻率允許的偏差(百萬分之一)，用ppm表示。溫度范圍越寬，穩定度越高，價格越高。頻率穩定度要求在±20ppm以上的應用，可使用普通的無補償晶體振盪器。低於±1ppm的穩定度，應該考慮恆溫晶體振盪器(OCXO)，而對於頻率穩定度在±1至±20ppm，則可以考慮使用溫度補償晶體振盪器(TCXO)。

5、輸出有多種不同的類型，每種輸出類型有獨特波形特性和用途。在選擇輸出類型時，應考慮三態或互補輸出的要求。對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規定。常見的輸出類型有(TTL、SINE、PECL、LVPECL、LVDS、HCMOS).

6、晶振標准溫度為-40℃～+85℃，一般來說-20℃～+70℃已經夠用了。某些特殊場合對溫度范圍比較高，比如航天軍用的。

7、具有基波和諧波方式的晶體振盪器具有最好的相位雜訊性能。相位雜訊和抖動是指在同一現象下兩種不同的定量方式，對短期穩定度的真實度量。擁有好的相位雜訊和抖動的同時晶體振盪器的設計復雜，體積大、頻率低、造價高。相反，採用鎖相環合成器產生輸出頻率的振盪器比採用非鎖相環技術的振盪器一般呈現較差的相位雜訊性能。實際上，相位雜訊和抖動是短期頻率穩定度的度量，所以一般較好的、頻率穩定度越好的晶振，相應指標也更好。

8、老化率是指晶振在使用的過程中，頻率值隨著變化的大小，有年老化和日老化兩種指標。

Ⅲ 晶振 參數

晶體諧振器常用的參數
CI或RR代表等效阻抗
C0 ：靜電容
C1：動態電容
DLD：激勵功率特性，不代表任何值
DLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值和最小值的差
FDLD：一系列的功率下頻率的最大值和最小值的差
RLD2：一系列的功率下等效阻抗的最大值

Ⅳ 晶振成本的六個重要參數有哪些

1，晶振的頻率范圍。低頻與高頻，成本相對較貴。前提是要依附於使用的晶振封裝，比如同樣是8MHZ晶振，封裝3225與封裝5032的成本反差較大。原理很簡單，8MHZ本身屬於低頻范圍，遇上封裝較小的3225晶振，在晶片磨損與製作時產生的不良率過大，從而需要反復檢測以保證產品的性能和產品百分百的工作率。因此成本較貴！
2，晶振的腳位。意想不到晶振成本也取決於晶振腳位吧，那麼什麼樣腳位的晶振成本較貴了！晶振腳位有兩腳和四腳之分，2腳無源晶振成本較貴，例如KDS晶振中的DSX320G系列！
3，晶振的溫度。毋庸置疑，晶振工作溫度的范圍影響著晶振成本的因素。簡化而言，晶振工作溫度不同，其使用級別也不同，例如-20—75攝氏度，甚至可耐溫度范圍更小的，都屬於民用晶振，也稱之為消費類晶振；溫度-40—85的工作溫度，屬於工業級；-40—125攝氏度屬於汽車及；-50—150攝氏度屬於軍工級。不同等級的工作溫度，晶振成本也有不同的變化。瑞泰建議，在咨詢晶振的同時，如果告知使用產品范圍，供應廠商會更加明確晶振的參數要求。
4，晶振的精度。精度往往由PPM表示，另外一種通俗易懂的說辭稱之為頻率誤差，不同精度的晶振，產生的頻率誤差越小，當然如果想要晶振頻率越准確，那頻率誤差越小越好。所以不難理解晶振的精度為什麼是影響晶振成本變化的原因之一。
5，負載電容。晶振頻率晶振封裝一致，負載電容不同也將影響晶振的成本變化。
6，晶振封裝。在我們認知中，晶振封裝越小越貴，這是一點，然而晶振封裝越大，成本也越高。因為小型化的貼片晶振磨損晶片較多，大型化的貼片晶振晶片使用較多。望採納，我們是凱越翔電子，有問題歡迎咨詢。

Ⅳ 晶振怎麼分類晶振的參數有哪些晶振的參數晶振的分類

1.晶振有著不同使用要求及特點，分類為普通晶振，溫補晶振，壓控晶振，溫控晶振四類。
2.按晶振的功能和實現技術的不同，可分四類:(1)恆溫晶體振盪器OCXO
(2)溫度補償晶體振盪器TCXO
(3)普通晶體振盪器SPXO(4)壓控晶體振盪器VCXO
晶振參數太多了無法一一列出來，有源晶振即鍾振，常規向客人了解封裝/頻點/電壓就基本OK，無源晶振即諧振器，一般向客人了解封裝/頻點/調整頻差PPM/負載電容PF就基本OK啦，如客人有特別要求一個基頻與泛音模式，還有一個常溫與寬溫即溫度的要求。
常用SMD封裝尺寸有7050，5032，3225，2520，2016，8045，4025，6035。DIP直插圓柱型有:AT-2*6，AT-3*8。鍾振DIP8
DIP14
，再就是49S系列。

Ⅵ 誰幫我看看晶振手冊參數是多少

晶振頻率就是標稱32.768kHz。

負載電容大體可以按下面的計算，其中C1、C2取值要使得最終CL滿足晶振手冊中的12.5pF。例如C1、C2可取18pF~22pF左右。

Ⅶ 吊知道什麼晶振可編程么

其實可編程晶振還有個很好聽的名字叫做：硅晶體，可編程晶振簡單的解釋就是，把你需要的晶振頻率，精度，電壓，負載等要求提供過來，在通過簡單的電腦編輯器，把你需要的這些參數在電腦控制器上，輸入你所提供的參數，然後按下確定鍵就可以把頻率，電壓等參數寫入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下，IC是怎麼編程的，原理跟IC編程一個道理，只不過IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯，手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機上，母片放入編輯機的附件，按下確定就可以把公片上的IC系列參數復制進入母片，不過目前可編輯的石英晶振現在還沒做到這種地步。
現在市面上對硅晶體技術以及產量做的最優越的還得說Easy-Key所代理的美國的SiTime公司，對於美國SiTime晶振品牌來說在歐美市場非常受歡迎，並且很多大型科技企業得到了廣泛應用，很遺憾的事，可編程硅晶體目前只針對有源石英晶體振盪器系列，並不對普通壓電石英晶振可採取數據編輯。

Ⅷ 晶振 參數

DL是激勵電平，100uW （你看看是uM 還是uW?）
CL是負載電容，10PF
CO是靜態電容，7pf
RR是串聯等效電阻，70歐姆
CAL.TOL是常溫頻差，±10 ppm
TEM.TOL是溫度頻差，在-10 ℃ to 60 ℃范圍內，頻差為±10 ppm
IR是靜態電阻， 500MΩ

一般就看看負載電容CL，常溫頻差, 串聯等效電阻，
頻差單位1個PPM等於一萬分之一頻率數。

Ⅸ 4MHZ的晶振主要參數有哪些

不管晶振頻率是多少，其參數基本都是固定的，詳見下文：
1.、頻率大小：
頻率越高一般價格越高。但頻率越高，頻差越大，從綜合角度考慮，一般工程師會選用頻率低但穩定的晶振，自己做倍頻電路。總之頻率的選擇是根據需要選擇，並不是頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恆溫晶振（OCXO），因其有很好的頻率穩定性，屬於高端晶振。至於范圍，晶振的頻率做的太高的話，就會失去意義，因為有其他更好的頻率產品代替。JFVNY的產品頻率范圍是：25kHz-1.3G，基本上所有應用中的晶振都可以在JFVNY產品種找到。

2.、頻率穩定度：關鍵參數，JFVNY的高端晶振可以達到10-9級別。
指在規定的工作溫度范圍內，與標稱頻率允許的偏差，用PPm（百萬分之一）表示。一般來說，穩定度越高或溫度范圍越寬，價格越高。對於頻率穩定度要求±20ppm或以上的應用，可使用普通無補償的晶體振盪器。對於介於±1 至±20ppm 的穩定度，應該考慮溫補晶振TCXO 。對於低於±1ppm 的穩定度，應該考慮恆溫晶振OCXO。如果客戶有十分特別的頻穩要求，JFVNY可根據客戶要求參數定做。

3、電源電壓：
常用的有1.8V、2.5V、3.3V、5V等，其中3.3V應用最廣。

4、輸出：

根據需要採用不同輸出。（HCMOS，SINE，TTL，PECL，LVPECL，LVDS，LVHCMOS等）每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途。應該關注三態或互補輸出的要求。對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規定，根據客戶需要我們可以幫助客戶選型。

5.、工作溫度范圍：
工業級標准規定的-40～+85℃這個范圍往往只是出於設計者們的習慣，倘若-20℃～+70℃已經夠用，那麼就不必去追求更寬的溫度范圍。對於某些特殊場合如航天軍用等，對溫度有更苛刻的要求。

6.、相位雜訊和抖動：
相位雜訊和抖動是對同一種現象的兩種不同的定量方式，是對短期穩定度的真實度量。振盪器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振盪器具有最好的相位雜訊性能。採用鎖相環合成器產生輸出頻率的振盪器比採用非鎖相環技術的振盪器一般呈現較差的相位雜訊性能。但相對的，擁有好的相位雜訊和抖動的同時振盪器的設計復雜，體積大，頻率低，造價高。實際上相位雜訊和抖動是短期頻率穩定度的度量，所以一般越高端的晶振，即頻穩越好的晶振，這些指標也相應越好。

7.、牽引范圍（VCXO）：是針對VCXO的參數。
帶有壓控功能的晶振為（VCXO），即通過調節控制電壓改變輸出頻率。牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值。此值一般用ppm表示。通常牽引范圍大約為100 - 200ppm，取決於VCXO的結構和所選擇的晶體。

8.、封裝：
與其它電子元件相似，石英振盪器亦採用愈來愈小型的封裝。通常，較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴。所以，小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。JFVNY振盪器有插件(DIP)、貼片(SMD)封裝，插件如長方形的DIP14封裝，正方形的DIP8封裝等，貼片有7.0*5.0、6.0*3.5mm，5.0*3.2mm，3.2*2.5mm，2.5*2.0mm等封裝。

9.老化率：
隨著時間的推移，頻率值隨著變化的大小，有年老化和日老化兩種指標。JFVNY的高精度恆溫晶振（OCXO）可以達到10-8 ppm/年。

以上是選型時工程師應考慮的晶振參數，前5個參數一般就能選出相對應的型號。其中最重要的指標是頻率穩定度。所謂高端，就是頻率穩定度非常好的晶振。隨著技術的發展，對高端晶振的需求會日益增加。JFVNY的恆溫晶振（OCXO）頻率穩定性可以達到10-9級別。另外對於中高端晶振，有時客戶對某些指標有特殊要求，比如更好的相位雜訊，或更小的封裝要求，